Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7831. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.32V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4310pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C

Transistor canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 260W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 99 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 260W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 360pF. C (out): 92pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF820PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 74W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 620 ns. C (out): 93 ns. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Température: +105°C. Dissipation de puissance maxi: 74W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 500V, TO220AB. Vdss (tension drain à source): 500V. Boîtier: TO220AB. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4.5A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de montage: THT

Transistor canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF840APBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF840ASPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 500V, 8A, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 10V. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): 10V. Marquage du fabricant: IRF840PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF840SPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 760pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: oui. Id(imp): 88A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: IRF8707G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F8788. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5720pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F9952. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F9952Q. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.52 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1423pF. C (out): 208pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 52nC. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2830pF. C (out): 3310pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 68A. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.21 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2870pF. C (out): 3480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 17A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 92A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: B23N15D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 136W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4220pF. C (out): 580pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 220A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB260N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 380W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0021 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 44 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Protection G-S: non. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V