Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 100V, 1A - IRFD110PBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 100V, 1A - IRFD110PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 100V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur VISHAY IR. Quantité en stock actualisée le 29/07/2025, 19:25.