Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7831. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.32V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4310pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 16:25.