Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Id (T=100°C): 14.9A. Id (T=25°C): 23.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4200pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Protection G-S: non

Transistor canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. Id (T=100°C): 23.3A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.067 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1250pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 227W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 40nC). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 62A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4830pF. C (out): 945pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non

Transistor canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Id (T=100°C): 49.5A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2500pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible charge de grille (85nC typique). Protection G-S: non

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA9N90C. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Poids: 4.7g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-3P. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Résistance passante Rds On: 0.91 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. Boîtier (norme JEDEC): 30. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQAF11N90C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. Id (T=100°C): 9.8A. Id (T=25°C): 15.6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.074 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 670pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 62.4A. Idss (min): 1uA. Equivalences: FQD19N10LTM. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.031 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 30N06L. Dissipation de puissance maxi: 44W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. Id (T=25°C): 23.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.258 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 100V. Id (T=100°C): 3.67A. C (in): 220pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FQD7N10L. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Fonction: Faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Boîtier (norme JEDEC): 1. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP12N60C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 70 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 280 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 9.05A. Id (T=25°C): 12.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 345pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 72 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Poids: 2.07g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Fonction: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 195W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Spec info: Faible charge de grille (43nC typique). Protection G-S: non

Transistor canal N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 13.5A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 600pF. C (out): 165pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 78 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor canal N, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 19A. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 76A. Dissipation de puissance maxi: 139W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, td(on)15ns, td(off)135ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET)

Transistor canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1150pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 127W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 30.8A. Id (T=25°C): 43.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 425pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 174A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 146W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. Id (T=100°C): 32.2A. Id (T=25°C): 45.6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.033 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2500pF. C (out): 520pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 182A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 210W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Boîtier (norme JEDEC): 1. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Boîtier (norme JEDEC): 1. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1630pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 121W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Spec info: niveau logique

Transistor canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'enhancement mode power field effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1420pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 27nC, faible Crss 10pF. Protection G-S: non

Transistor canal N, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor canal N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Dissipation de puissance maxi: 205W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DMOS, QFET. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 45nC, faible Crss 14pF