Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.41€ | 4.09€ |
5 - 9 | 3.24€ | 3.89€ |
10 - 24 | 3.07€ | 3.68€ |
25 - 27 | 2.90€ | 3.48€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.41€ | 4.09€ |
5 - 9 | 3.24€ | 3.89€ |
10 - 24 | 3.07€ | 3.68€ |
25 - 27 | 2.90€ | 3.48€ |
Transistor canal N, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - FQP85N06. Transistor canal N, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 22:25.
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