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Transistor canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L

Transistor canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L
Quantité HT TTC
1 - 4 1.93€ 2.32€
5 - 9 1.84€ 2.21€
10 - 24 1.74€ 2.09€
25 - 45 1.64€ 1.97€
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Transistor canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L. Transistor canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. Id (T=25°C): 23.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.258 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 100V. Id (T=100°C): 3.67A. C (in): 220pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FQD7N10L. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Fonction: Faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 22:25.

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