Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: non. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC3157. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1265. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 40V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 550 MHz. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 660 MHz. Fonction: TV-ZF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: usage général. Marquage sur le boîtier: C3198. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 70. Nombre de connexions: 3. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Spec info: remplacement KTA1267. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Hi-Beta, lo-sat.. Gain hFE mini: 500. Remarque: 9mm. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 15A, 230V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1294. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 17A, 230V. Courant de collecteur: 17A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1295. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: NF-E HI-FI. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1302. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1303. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1306. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: C3303. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: NF/SL. Ic(puls): 8A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V

Transistor NPN, 0.7A, 180V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Applications de commutation haute tension. Remarque: hFE 140...280. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1319. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, 500V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 250 MHz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1360. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: hFE 15...30. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: hFE 20...40. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V