Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: C224GR. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970GR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: VID-L. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100MHz. Fonction: Amplificateur de puissance AF à commutation haute tension. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1011. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 20pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: C2383 Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1013. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Remarque: sérigraphie/code CMS BQ. Marquage sur le boîtier: BQ. Nombre de connexions: 3. Température: +155°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1037. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 400mV

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, P22/U, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: P22/U. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: CSC2342. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: hauteur 5mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: C2500. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 17A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D6/C, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 1A, 40V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: hFE 100...200. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 19pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 155 MHz. Fonction: HF. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: C2690A Y. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1220A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 1.8pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 800mA. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: C2705. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Marquage sur le boîtier: DG. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 300mV

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-103, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-103. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W