Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HIGH SWITCH. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Spec info: haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide haute tension. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation, amplificateur audio. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP107. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 2A, 60V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 4A. Remarque: >1000. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, 80V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: >1000. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: TO-220. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP120. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP122. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: silicium. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (in): TO-220. C (out): 200pF. Diode CE: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Gain hFE maxi: +150°C. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP132. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 15000. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP137. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. C (in): TO-247. C (out): 60pF. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-247. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP2955. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 24. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP32C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 25A, TO-247, TO-247, 100V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-247. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Date de production: 1450. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP36C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 25A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP35CG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP42C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 18A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse.. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 35A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vbe(sat)1.5V. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension de saturation VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 10A, 800V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, EMT6. Boîtier (selon fiche technique): EMT6. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS H21. Marquage sur le boîtier: H21. Nombre de connexions: 6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD SO6*

Transistor NPN, EMT6. Boîtier (selon fiche technique): EMT6. Marquage sur le boîtier: H9C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD SO6*. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Remarque: sérigraphie/code CMS H9C

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: INFI->PANAS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN