Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 240 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tension de saturation VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 30pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX753. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX790. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat)0.92V. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V