Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Remarque: hFE 5000...20000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Remarque: hFE 5000...20000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 400V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 8pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V, 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Marquage sur le boîtier: s1D. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS S1D. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateur haute tension, version CMS du MPSA42. Gain hFE mini: 25. Remarque: transistor complémentaire (paire) SMBTA92

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo-Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 9pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: S8050 C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. C (out): 28pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 96. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: excellente linéarité hFE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 270 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.45W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: 13005A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 16. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 13007A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Résistance BE: 50. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 15...28. Marquage sur le boîtier: ST13009L. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Spec info: ST13009L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN. Diode BE: non. C (out): 122pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: N83003. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) STN93003. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 215pF. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN basse tension à commutation rapide. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HIGH SWITCH. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Spec info: haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide haute tension. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation, amplificateur audio. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP107. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 2A, 60V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 4A. Remarque: >1000. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, 80V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: >1000. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: TO-220. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP120. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP122. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, TO220, 100V. Boîtier: TO220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Type: transistor Darlington. Polarité: NPN. Puissance: 65W. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Gain hFE min.: 1000. Courant maximum 1: 5A. Série: TIP122G

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP132. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Courant de collecteur: 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. C (out): 60pF. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP2955. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non