Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD682. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD681G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 80V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 15W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD809G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. C (out): TO-220AB. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

ROHS: Oui. Boîtier: SOT223

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDP949. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: oui. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 1000. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDT64C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDV65BG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW42G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 85W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-93, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW83C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 750. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW84C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW84D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 12A, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW93C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 20 MHz. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW94CF. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW93C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 150 Ohms. C (in): TO-220. C (out): TO-220. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Gain hFE maxi: 750. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX34C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 150 Ohms. C (in): TO-220AB. C (out): TO-220AB. Diode CE: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: +150°C. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX54C. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: alimentation à découpage. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: non. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 750V

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1100 MHz. Fonction: TV-IF. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Fonction: TV-IF-reVHF

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF240. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C