Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP54/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP51-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP 5516. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP52-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BH-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP56/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP53-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BH-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BH. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: XGs. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: XCs. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 1V. Spec info: sérigraphie/code CMS XCs. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: EF. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Remarque: >420. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCW60RC. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: U1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor NPN. Applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: EKs. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX42. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: bM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: BH. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS BH

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 1.5A. Remarque: sérigraphie/code CMS BK. Marquage sur le boîtier: BK. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-10

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BL. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Remarque: sérigraphie/code CMS BL. Marquage sur le boîtier: BL. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-16

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: AK*. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Transistor NPN, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200A. Dissipation de puissance maxi: 0.34W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.75V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-18, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Boîtier (norme JEDEC): TO-206AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCY59-9. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 3A, 60V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 18.5W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN