Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: B=1000. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF/SL. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 60V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB764. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD871. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 3A, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 4000. Dissipation de puissance maxi: 5W. Spec info: TO-126. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 120V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: amplificateur de sortie AF. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 340. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Fast-switching. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D13009K. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D209L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(min): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 490V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 20. Gain hFE mini: 16. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: 4202BD. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension de saturation VCE(sat): 0.18V. Vebo: 13V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-323, 40mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-323. Courant de collecteur Ic [A], max.: 40mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 5.5V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.4GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Résistance B: non. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-18. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 80pF. C (out): 25pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: pour applications de moyenne puissance et de commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC161-16. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 240. Remarque: ( E,C,B ). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN