Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 2A, 100V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor à boîtier isolé. Remarque: >1000. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Diode CE: oui

Transistor NPN, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation à haute intensité. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1202. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1204

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: 'driver'. Gain hFE maxi: 5000. Gain hFE mini: 2000. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Spec info: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Amplificateur de sortie de déflexion horizontale TV couleur.. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1274

Transistor NPN, 4A, 80V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE mini: 3000. Remarque: =3000. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1342

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/C, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/650V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): 1500V. Plage de température de fonctionnement max (°C): 650V

Transistor NPN, 10A, 650V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Fonction: S-L TV/HA(F)

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat DC/DC. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: D2012. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1366. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3A. Plage de température de fonctionnement min (°C): 30W. Plage de température de fonctionnement max (°C): montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Courant de collecteur: 3.5A. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 3A, 100V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Io-sat. Remarque: >500. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 110V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: IBp=2A

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50MHz. Fonction: Amplification de puissance avec courant direct élevé. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 2.37k Ohms. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Gain hFE mini: 5000. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1560. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Fonction: S Io-sat. Remarque: sérigraphie/code CMS DT. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1561

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: D2394. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V