Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP450PBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 92 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Boîtier (norme JEDEC): 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 10470pF. C (out): 977pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 171A. Id (T=100°C): 121A. Id (T=25°C): 694A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 517W. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4200pF. C (out): 870pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (out): 152pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 437ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 62A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 278W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 117 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: D Series Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 3940pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3600pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: commutation rapide, charge de grille ultra faible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP460LCPBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF

Transistor. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP460PBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 250W. Boîtier: TOP-3 (TO-247). Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension drain - source (Vds): 500V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 520A. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 130A. Dissipation de puissance maxi: 520W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V

Transistor. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power-MOSFET. Id(imp): 300A. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (maxi): 72A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5.5V. Remarque: Haute fréquence. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Boîtier: TO-247AC. Marquage du fabricant: IRFP4710PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 72A. Puissance: 190W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 100V

Transistor. C (in): 1070pF. C (out): 6040pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 380A. Id (T=100°C): 66A. Id (T=25°C): 94A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 580W. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP90N20DPBF. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 580W. Boîtier (norme JEDEC): 580W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250mA. Idss (min): 25mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP9140NPBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP9140PBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Boîtier (norme JEDEC): 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 370pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.57 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP240. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP9240PBF. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Boîtier (norme JEDEC): 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 88 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2100pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA-. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 33 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFPC50PBF. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 88 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 3900pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1900pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 22A. Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 5.4A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: commutation rapide, ORION TV. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFPE40PBF. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 3100pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 31A. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 7.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non