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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IRFP460APBF

Transistor IRFP460APBF
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Quantité HT TTC
1 - 1 4.77€ 5.72€
2 - 2 4.53€ 5.44€
3 - 4 4.29€ 5.15€
5 - 9 4.05€ 4.86€
10 - 19 3.96€ 4.75€
20 - 29 3.86€ 4.63€
30 - 175 3.72€ 4.46€
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Transistor IRFP460APBF. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 11:25.

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En rupture de stock
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Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quanti...
2SK1170
Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui
2SK1170
Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui
Lot de 1
13.02€ TTC
(10.85€ HT)
13.02€

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