Transistors

Transistor. C (out): 92pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. C (in): 360pF. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF820PBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF

Transistor. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 620 ns. C (out): 93 ns. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Température: +105°C. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF830PBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 610pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Boîtier (norme JEDEC): 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF840APBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF840ASPBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Marquage du fabricant: IRF840PBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 8A. Puissance: 125W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension drain - source (Vds): 500V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF840SPBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 760pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 88A. Id (T=100°C): 9.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: IRF8707G. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F8736. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 13 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2315pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F8788. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5720pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 570pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 270ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 50M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: HEXFET. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation pour ordinateurs portables. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 65 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9510PBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1

Transistor. C (in): 390pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9520. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Boîtier (norme JEDEC): 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F9520. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9520PBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 860pF. C (out): 340pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 88W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 760pF. C (out): 260pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non