Transistor IRF840AS

Transistor IRF840AS. Transistor. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.