Transistor IRF830APBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.38€ | 1.66€ |
| 5 - 9 | 1.31€ | 1.57€ |
| 10 - 24 | 1.24€ | 1.49€ |
| 25 - 49 | 1.17€ | 1.40€ |
| 50 - 72 | 1.15€ | 1.38€ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.38€ | 1.66€ |
| 5 - 9 | 1.31€ | 1.57€ |
| 10 - 24 | 1.24€ | 1.49€ |
| 25 - 49 | 1.17€ | 1.40€ |
| 50 - 72 | 1.15€ | 1.38€ |
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Transistor IRF830APBF. Transistor. C (in): 620 ns. C (out): 93 ns. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Température: +105°C. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.
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Transistor. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
Transistor. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
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