Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Spec info: 33 Ohms

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 9A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 5.0V. Courant de collecteur: 9A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF ( SOT399 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: convient pour l'alimentation des téléviseurs SONY. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 13. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 25A. Remarque: Tension d'isolation 2500V. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Fonction: commutation haute tension et haute vitesse. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 25A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Fonction: TV-HA, hi-res (F)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 25A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance au silicium. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA Hi-re. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: (F)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA Hi-re. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (out): 145pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA Hi-re. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.35us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P(H)IS. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Boîtier: SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SOT199 (F)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SOT399 (F)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re (F). Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re (F). Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: moniteur. Courant de collecteur: 16A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 1.4...1.8us

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 825V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 825V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 4.8us

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 825V. Remarque: MONITOR. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 7.4us

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de puissance. Courant de collecteur: 12A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1700V. Remarque: MONITOR 16KHz. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: MONITOR 16KHz. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 30A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Type de transistor: NPN. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1700V. Vebo: 7.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 825V. Remarque: MONITOR. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 2.5us