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Transistor BU2522AF

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Transistor BU2522AF. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 25A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Fonction: TV-HA, hi-res (F). Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 15:25.

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