Transistor BU2520DF-PHI

Transistor BU2520DF-PHI. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 13. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 25A. Remarque: Tension d'isolation 2500V. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Fonction: commutation haute tension et haute vitesse. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 15:25.