Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: A21/B. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V/10V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.12W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1000V/500V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 22W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 220 MHz. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: 'lo-sat'. Courant de collecteur: 0.7A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V

Transistor. C (out): 120pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: amplificateurs de puissance audio, convertisseurs DC-DC. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB817. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: D1062. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: onduleurs à grande vitesse, convertisseurs, basse saturation. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB826

Transistor. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Vebo: 10V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 4A. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: remplaçant

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: remplaçant

Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD1279. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M37/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: 2.32k Ohms. Courant de collecteur: 0.5A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar'. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 7V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz