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Transistor 2SD1398-SAN

Transistor 2SD1398-SAN
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Transistor 2SD1398-SAN. Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar'. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 7V. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 22:25.

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