Transistors

Transistor. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 15A. Marquage sur le boîtier: C5242. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1962. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 12. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion mesa type'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1700V. Vebo: 6V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Display-HA. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Diode CE: oui

Transistor. Résistance BE: 43 Ohms. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.1 ns. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Pour une déflexion horizontale haute résolution. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: Display-HA MONITOR. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 20A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: 8.729.033.99. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 4. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 35A. Marquage sur le boîtier: C5302. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: vitesse rapide (tf=100ns typ). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 150mA. Ic(puls): 400mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92S. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA608. Diode CE: oui

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: High Switching, Horizontal Deflection out. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 4.3. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 3V max. Courant de collecteur: 10A. Remarque: 'Triple Diffused MESA Type'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Courant de collecteur: 14A. Ic(puls): 28A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: VCE(sat) max. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 190pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: HA, Hi-res. Courant de collecteur: 14A. Ic(puls): 28A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.15us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Type de transistor: NPN. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Sortie de déviation horizontale. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: C5449. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Boîtier: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 6V. Spec info: Commutation à haute vitesse

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7GHz. Fonction: VHF/UHF. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 90. Courant de collecteur: 70mA. Marquage sur le boîtier: LN. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Boîtier (selon fiche technique): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Spec info: sérigraphie/code CMS LN

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 12. Gain hFE mini: 6. Courant de collecteur: 17A. Ic(puls): 30A. Marquage sur le boîtier: C5583. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Fonction: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: 'Triple diffusion mesa type'

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hi-res, monitor 19. Courant de collecteur: 15A. Remarque: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse. Gain hFE maxi: 11. Gain hFE mini: 3. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 36A. Marquage sur le boîtier: C5696. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: oui. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5698. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 5V. Fonction: haute vitesse, CTV-HA. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7.5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 7.5A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.135V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2039

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040. Diode BE: non. Diode CE: non