Transistors

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 46pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: 08N60C3. Dissipation de puissance maxi: 104W. Résistance passante Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO220-3. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Fonction: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 10N10. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 426pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 11N60C3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1460pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 650ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 22A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: 11N60S5. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 11A. Dissipation de puissance maxi: 156W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Fonction: ID pulse 33A. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SPP17N80C2. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 230pF. C (out): 95pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Protection G-S: diode. Id(imp): 74.8A. Id (T=100°C): 13.2A. Id (T=25°C): 18.7A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 18P06P. Dissipation de puissance maxi: 81W. Résistance passante Rds On: 0.102 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 2400pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 62.1A. Id (T=100°C): 13.1A. Id (T=25°C): 20.7A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 20N60C3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): P-TO220-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 20N60S5. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N06L11. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 68 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 158W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Dissipation de puissance maxi: 156W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60C3. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 208W. Résistance passante Rds On: 0.19 Ohms. Boîtier: PG-TO247 HV. Tension drain - source (Vds): 600V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (out): 9pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 1.5A. Marquage sur le boîtier: S8050 C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo-Pack). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance BE: 4. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 95pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 28pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 96. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 270 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.45W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 1750pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 440 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non