Transistors

Transistor. C (in): 1000pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 18NM60. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F3NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5NK100Z. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 452pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 324 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100mA. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: 9NM60N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.63 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 26A. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 610pF. C (out): 65pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: variateur de lumière, relais statique, pilote de moteur. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 7A. Marquage sur le boîtier: GF10NB60SD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 1.2 ns. Td(on): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: faible chute de tension (VCE(sat)). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 380pF. C (out): 46pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35 ns. Fonction: Commandes de moteur à haute fréquence. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 30A. Ic(T=100°C): 10A. Marquage sur le boîtier: GP10NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Durée de tenue aux courts-circuits 10us. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2200pF. C (out): 225pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 44 ns. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60VD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 31 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V. Fonction: onduleurs haute fréquence, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2510pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35 ns. Date de production: 201509. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 135A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: GW30NC120HD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 275 ns. Td(on): 29 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V. Fonction: capacité de courant élevée, impédance d'entrée élevée. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 4550pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Fonctionnement haute fréquence jusqu'à 50KHz. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marquage sur le boîtier: GW40NC60V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 260W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 43 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1350pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET de puissance rapide. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: H8NA60FI. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 4000V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 150pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. Id (T=100°C): 630mA. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4NF20L. Dissipation de puissance maxi: 3.3W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10.4 ns. Td(on): 2 ns. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 4. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: N83003. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 1000. Spec info: transistor complémentaire (paire) STN93003. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 215pF. Conditionnement: rouleau. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN basse tension à commutation rapide. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.32V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 1000. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Conditionnement: rouleau. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 0.5A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: N9260. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 150 ns. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: PNP. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 7V. Fonction: commutation rapide haute tension, transistor de puissance PNP. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 4. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: N93003. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 1000. Spec info: transistor complémentaire (paire) STN83003. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 5955pF. C (out): 244pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 38 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 400A. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: 100N8F6. Dissipation de puissance maxi: 176W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 80V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 115W. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60ZFP. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: protection par diode Zéner. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80ZFP. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P10NK80ZFP. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1250pF. C (out): 210pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 42.8A. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 2000VDC. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P11NK40Z. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 930pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1000pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection G-S: non