Transistor SS8050CTA
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.32€ | 0.38€ |
| 10 - 24 | 0.30€ | 0.36€ |
| 25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
| 50 - 99 | 0.27€ | 0.32€ |
| 100 - 213 | 0.26€ | 0.31€ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.32€ | 0.38€ |
| 10 - 24 | 0.30€ | 0.36€ |
| 25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
| 50 - 99 | 0.27€ | 0.32€ |
| 100 - 213 | 0.26€ | 0.31€ |
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Transistor SS8050CTA. Transistor. C (out): 9pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 1.5A. Marquage sur le boîtier: S8050 C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo-Pack). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 M...
Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Diode BE: non. Diode CE: non
Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Diode BE: non. Diode CE: non
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