Transistor SGW30N60

Transistor SGW30N60. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 389 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 17:25.