Transistors

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6K. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 4.5pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: Uni sym. Idss (maxi): 9mA. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 61 S. Dissipation de puissance maxi: 2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: transistor JFET pour usage général. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 61S. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5pF. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Idss (maxi): 5mA. Idss (min): 1mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 6E. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: J-FET Ampl.. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 4 v. Vgs(th) min.: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5pF. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Idss (maxi): 9mA. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 61U. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: J-FET Ampl.. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 7.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 61U. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 11pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Idss (maxi): 60mA. Idss (min): 7mA. IGF: 50mA. Marquage sur le boîtier: 6W. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: P-Channel Switch. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 6V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphie/code CMS 6W. Unité de conditionnement: 3000

Transistor. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Type de transistor: JFET. Idss (maxi): 20mA. Idss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Marquage sur le boîtier: 6Y. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: P-Channel Switch. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6Y. Unité de conditionnement: 3000

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6Y. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Type de transistor: JFET. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Marquage sur le boîtier: 62 P. Dissipation de puissance maxi: 0.2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 40V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 62P. Unité de conditionnement: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Type de transistor: FET. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. Idss (maxi): 30mA. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 6U. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6U. Unité de conditionnement: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Type de transistor: FET. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. Idss (maxi): 60mA. Idss (min): 24mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 6T. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6T. Unité de conditionnement: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6T. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

NPN-RF 6V 0.005A 1.4GHz NF:4.5dB SOT-23 ˝7H

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 250MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: NPN. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Gain hfe: 35...300. Puissance: 0.25W

Transistor. C (out): 5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.6A. Marquage sur le boîtier: 1 P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Spec info: SMD 1P. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1P. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1S. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 200MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: PNP. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 60V. Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Gain hfe: 50...300. Puissance: 0.25W

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2F. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1AM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): SOT-23. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.2A. Marquage sur le boîtier: 1AM. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: SMD 1AM. Diode BE: non. Diode CE: non

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Marquage sur le boîtier: 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A

Transistor. C (out): 80pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 0.9A. Marquage sur le boîtier: 2x. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 30 ns. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS 2X. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2T. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP