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Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A

Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A
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Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A. Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 14W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679A. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 09:25.

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Transistor PNP, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: NF-L. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681
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Transistor PNP, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Résistance B: oui. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Diode BE: non. Diode CE: oui
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Transistor PNP, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Résistance B: oui. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Diode BE: non. Diode CE: oui
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