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Transistor BD682

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Transistor BD682. Transistor. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: NF-L. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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