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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD679A

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD679A
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD679A. Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 2.8V. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD680A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-126. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 40W. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD682
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Transistor NPN, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-126. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 40W. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD682
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