Rechercher "transistor j107"

Nous vous proposons une sélection de 54 produits pouvant correspondre à votre recherche de "transistor j107" (Paire de transistors MOSFET N-P)

FDS8958B

FDS8958B

Transistor MOSFET FDS8958B. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. C (in): 760pF. C (out): 155pF. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Type de canal: N-P...

1.70€
Quantité en stock: 2501
FDS8962C

FDS8962C

Transistor MOSFET FDS8962C. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Technologie: double transistor MOSFET. Canaux N et P. 'PowerTrench'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P...

1.70€
Quantité en stock: 223
HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Boîtier: TO-247. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N-P...

11.74€
Quantité en stock: 20
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Transistor MOSFET HGTG40N60B3. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Boîtier: TO-247. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N-P...

15.34€
Quantité en stock: 29
SI9945AEY

SI9945AEY

Transistor MOSFET SI9945AEY. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: 9.31k Ohms. Id (T=100°C): 3.7A. Idss (maxi): 3.2A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. Technologie: 2xN-CH 60V. Trr Diode (Min.): 45 ns...

1.18€
Quantité en stock: 2058
SK85MH10

SK85MH10

Transistor MOSFET SK85MH10. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: module. Capacité de grille Ciss [pF]: 9100pF. Configuration: Vissé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Dissipation maximale Ptot [W]: -. Délai de coupure tf[nsec.]: 570 ns. Famille de composants: pont MOSFET complet, NMOS. Marquage du fabricant: SK85MH10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Température maxi: +125°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Tension drain-source Uds [V]: 100V...

63.47€
Quantité en stock: 5