Transistor MOSFET FDS8958B. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. C (in): 760pF. C (out): 155pF. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Type de canal: N-P. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:07