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BSN20BKR

Transistor canal N BSN20BKR, 60V, SOT23. Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier: SOT23. Dissipation de puissance maxi: 0.31W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 265mA. Information: -. MSL: 1. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: non. Série: -. Tension d'entraînement: -. Tension grille/source Vgs (Max): 20V. Type de montage: SMD...

0.39€

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BSP100

Transistor canal N BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 250pF. C (out): 88pF. Dissipation de puissance maxi: 8.3W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Idss (min): 10nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V...

0.84€

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BSP125

Transistor canal N BSP125, SOT-223, 600V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 130pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP125. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

1.17€

Quantité en stock: 459

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BSP135

Transistor canal N BSP135, SOT-223, 600V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 146pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP135. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.1V...

2.31€

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BSP295H6327

Transistor canal N BSP295H6327, SOT-223, 60V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 368pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP295. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

1.77€

Quantité en stock: 1005

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BSP297

Transistor canal N BSP297, SOT-223, 200V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP297. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

0.88€

Quantité en stock: 439

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BSP89H6327

Transistor canal N BSP89H6327, SOT-223, 240V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP89. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

1.26€

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BSS123

Transistor canal N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (tension drain à source): 100V. Id (T=25°C): 150mA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 23pF. C (out): 6pF. Courant de drain: 170mA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 150mA. Id(imp): 600mA. Idss (min): 10uA. Information: -. MSL: 1. Marquage du fabricant: BSS123-7-F. Marquage sur le boîtier: SA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 360mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 6 Ohms. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Série: -. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension d'entraînement: -. Tension drain - source: 100V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de montage: SMD. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

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BSS123-E6327

Transistor canal N BSS123-E6327, SOT-23, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 20.9pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 'SAs'. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

0.21€

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BSS123-FAI

Transistor canal N BSS123-FAI, SOT-23, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SA. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.27€

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BSS123-ONS

Transistor canal N BSS123-ONS, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Equivalences: BSS123-7-F. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 680mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.6V...

0.0914€

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Minimum: 10

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BSS123LT1G

Transistor canal N BSS123LT1G, SOT-23, TO-236AB, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. : 'enhanced'. Capacité de grille Ciss [pF]: 20pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Courant de drain: 0.17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SA. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 0.225W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 6 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.6V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

0.24€

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BSS126H6327

Transistor canal N BSS126H6327, SOT-23, 600V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 28pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.021A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SHS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.7V...

0.65€

Quantité en stock: 2100

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BSS131

Transistor canal N BSS131, SOT-23, 240V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Capacité de grille Ciss [pF]: 77pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SRs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

0.24€

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BSS138

Transistor canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 0.22A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 27pF. C (out): 13pF. Courant de drain: 220mA. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Id(imp): 0.88A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 360mW. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. RoHS: oui. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V...

0.0883€

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BSS138-7-F

Transistor canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Id (T=25°C): 0.2A. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Id(imp): 1A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Poids: 0.008g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. RoHS: oui. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V...

0.0583€

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BSS138-SS

Transistor canal N BSS138-SS, SOT-23, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 27pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 200mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 36ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.21€

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BSS138LT1G-J1

Transistor canal N BSS138LT1G-J1, SOT-23, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: J1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V...

0.29€

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BSS139H6327

Transistor canal N BSS139H6327, SOT-23, TO-236AB, 250V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 76pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.03A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: STs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.4V...

1.18€

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BSS670S2LH6327XTSA1

Transistor canal N BSS670S2LH6327XTSA1, SOT-23, 55V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.54A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V...

0.74€

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BST72A

Transistor canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SOT54. Tension Vds(max): 100V. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Fonction: Very fast switching, Logic level compatible. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 0.01uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Température: +150°C. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.64€

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BST82

Transistor canal N BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=100°C): 0.12A. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Fonction: Commutation très rapide. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 0.01uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Compatible avec le niveau logique. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V...

0.22€

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BST82-215

Transistor canal N BST82-215, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de drain: 0.19A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 0.83W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10 Ohms. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

0.85€

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BTS117BKSA1

Transistor canal N BTS117BKSA1, 60V, 0.10 Ohms, TO-220. Tension drain - source (Vds): 60V. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Commande: niveau logique. Courant de drain maxi: 7A. Puissance: 50W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

3.72€

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