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IRFBG30PBF

Transistor canal N IRFBG30PBF, TO-220AB, 1 kV. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 980pF. Charge: 80nC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Courant de drain: 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 89 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBG30PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 5 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 1kV. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

3.25€

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IRFD024PBF

Transistor canal N IRFD024PBF, HD-1, 60V. Boîtier: HD-1. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFD024PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.36€

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IRFD120PBF

Transistor canal N IRFD120PBF, DIP4, 100V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFD120PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.95€

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IRFI3205PBF

Transistor canal N IRFI3205PBF, ITO-220AB, 55V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Dissipation maximale Ptot [W]: 63W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI3205PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.55€

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IRFI520GPBF

Transistor canal N IRFI520GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 37W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI520GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.19€

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IRFI530GPBF

Transistor canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI530GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.84€

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IRFI540GPBF

Transistor canal N IRFI540GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI540GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.95€

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IRFI630GPBF

Transistor canal N IRFI630GPBF, ITO-220AB, 200V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI630GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.25€

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IRFI640GPBF

Transistor canal N IRFI640GPBF, ITO-220AB, 200V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI640GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.08€

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IRFI840GPBF

Transistor canal N IRFI840GPBF, ITO-220AB, 500V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI840GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.66€

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IRFIBF30GPBF

Transistor canal N IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFIBF30GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

6.22€

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IRFL014NPBF

Transistor canal N IRFL014NPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL014N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

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IRFL014TRPBF

Transistor canal N IRFL014TRPBF, SOT-223, 60V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 13 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FA. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

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IRFL024NPBF

Transistor canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 400pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.18€

Quantité en stock: 321

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IRFL110PBF

Transistor canal N IRFL110PBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL110. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

0.88€

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IRFL210PBF

Transistor canal N IRFL210PBF, SOT-223, 200V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.96A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: Fc. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

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IRFL4310PBF

Transistor canal N IRFL4310PBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL4310. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

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IRFP064PBF

Transistor canal N IRFP064PBF, TO-247AC, 60V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 7400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 70A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP064PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.88€

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IRFP150NPBF

Transistor canal N IRFP150NPBF, TO-247AC, 100V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP150NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.73€

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IRFP254PBF

Transistor canal N IRFP254PBF, TO-247AC, 250V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 74 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP254PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.86€

Quantité en stock: 82

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IRFP260PBF

Transistor canal N IRFP260PBF, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP260PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

10.06€

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IRFP2907PBF

Transistor canal N IRFP2907PBF, TO-247AC, 75V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 13000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 90A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Dissipation maximale Ptot [W]: 470W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP2907PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.88€

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IRFP2907ZPBF

Transistor canal N IRFP2907ZPBF, TO-247AC, 75V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 7500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 90A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Dissipation maximale Ptot [W]: 310W. Délai de coupure tf[nsec.]: 97 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP2907ZPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.69€

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IRFP3415PBF

Transistor canal N IRFP3415PBF, TO-247AC, 150V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 150V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 43A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 72 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP3415PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.28€

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