Transistor canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V

Transistor canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V

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Transistor canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 400pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFL024NPBF
16 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
55V
Capacité de grille Ciss [pF]
400pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
2.8A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.075 Ohms @ 2.8A
Dissipation maximale Ptot [W]
2.1W
Délai de coupure tf[nsec.]
22 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
FL024N
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8.1 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
International Rectifier