Transistor canal N IRFL110PBF, SOT-223, 100V
Quantité
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Transistor canal N IRFL110PBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL110. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14
IRFL110PBF
16 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
180pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
1.5A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.25 Ohms @ 10A
Dissipation maximale Ptot [W]
3.1W
Délai de coupure tf[nsec.]
15 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
FL110
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
6.9ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (siliconix)