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BTS5210LAUMA1

Transistor canal N BTS5210LAUMA1, P-DSO-12, 40V. Boîtier: P-DSO-12. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS5210L. Nombre de bornes: 12. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 250us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

11.84€

Quantité en stock: 102

BTS5215LAUMA1

Transistor canal N BTS5215LAUMA1, P-DSO-12, 40V. Boîtier: P-DSO-12. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS5215L. Nombre de bornes: 12. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 250us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

9.47€

Quantité en stock: 78

BTS721L1

Transistor canal N BTS721L1, P-DSO-20, 34V. Boîtier: P-DSO-20. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS721L1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

33.74€

Quantité en stock: 14

BUZ22

Transistor canal N BUZ22, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1850pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 34A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 300 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ22. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

5.32€

Quantité en stock: 60

BUZ73LH

Transistor canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ73LH. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.63€

Quantité en stock: 379

BUZ76A

Transistor canal N BUZ76A, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ76A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.25€

Quantité en stock: 25

DMHC3025LSD-13

Transistor canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 590/631pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6A/-4.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Famille de composants: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Marquage du fabricant: C3025LS. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V/-2V...

1.18€

Quantité en stock: 4398

FDA50N50

Transistor canal N FDA50N50, TO-3P, 500V. Boîtier: TO-3P. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6460pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 48A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Délai de coupure tf[nsec.]: 460 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDA50N50. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 220 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

20.72€

Quantité en stock: 1

FDC6324L

Transistor canal N FDC6324L, SUPERSOT-6, 8V. Boîtier: SUPERSOT-6. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 8V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A/1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.38€

+441 rapidement
Quantité en stock: 2830

FDH45N50F-F133

Transistor canal N FDH45N50F-F133, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6630pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Délai de coupure tf[nsec.]: 215 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDH45N50F. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

13.74€

Quantité en stock: 30

FDV303N

Transistor canal N FDV303N, SOT-23, 25V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.68A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 303. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V...

0.34€

+17961 rapidement
Quantité en stock: 1000

FQA11N90C

Transistor canal N FQA11N90C, TO-3PN, 900V. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FQA11N90C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

10.06€

Quantité en stock: 19

FQA11N90C_F109

Transistor canal N FQA11N90C_F109, TO-3PN, 900V. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FQA11N90C_F109. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

10.06€

Quantité en stock: 21

FQA11N90_F109

Transistor canal N FQA11N90_F109, TO-3PN, 900V. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 340 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FQA 11N90. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

6.80€

Quantité en stock: 59

IPB020N10N5LFATMA1

Transistor canal N IPB020N10N5LFATMA1, D²-PAK, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 60.4k Ohms. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V...

43.28€

Quantité en stock: 50

IRF1310NPBF

Transistor canal N IRF1310NPBF, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 41A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF1310NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.10€

Quantité en stock: 114

IRF1310NSPBF

Transistor canal N IRF1310NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F1310NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.36€

Quantité en stock: 85

IRF1404PBF

Transistor canal N IRF1404PBF, TO-220AB, 40V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5669pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 202A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Dissipation maximale Ptot [W]: 333W. Délai de coupure tf[nsec.]: 46 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF1404PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.55€

Quantité en stock: 170

IRF1404SPBF

Transistor canal N IRF1404SPBF, D²-PAK, TO-263, 40V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 7360pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 162A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 72 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F1404S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.10€

Quantité en stock: 276

IRF2807SPBF

Transistor canal N IRF2807SPBF, D²-PAK, TO-263, 75V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 82A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F2807S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.95€

Quantité en stock: 73

IRF3205STRLPBF

Transistor canal N IRF3205STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F3205S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.07€

+484 rapidement
Quantité en stock: 1002

IRF3710SPBF

Transistor canal N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 57A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F3710S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.14€

Quantité en stock: 280

IRF520PBF-IR

Transistor canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF520PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.24€

Quantité en stock: 1174

IRF530NPBF-IR

Transistor canal N IRF530NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 920pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF530NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.98€

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