Transistor canal N IPB020N10N5LFATMA1, D²-PAK, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 60.4k Ohms. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45