Transistor canal N FDV303N, SOT-23, 25V
Quantité
Prix unitaire
1-99
0.29€
100+
0.20€
| +18161 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité! | |
| En rupture de stock | |
| Soyez notifié par email quand ce produit sera de nouveau en stock! | |
Transistor canal N FDV303N, SOT-23, 25V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.68A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 303. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36
FDV303N
16 paramètres
Boîtier
SOT-23
Tension drain-source Uds [V]
25V
Capacité de grille Ciss [pF]
50pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.68A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.44 Ohms @ 0.2A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.35W
Délai de coupure tf[nsec.]
30 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
303
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
6 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
1V
Produit d'origine constructeur
Onsemi (fairchild)