Transistor canal N FQA11N90_F109, TO-3PN, 900V. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 340 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FQA 11N90. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36