Transistor canal N FDC6324L, SUPERSOT-6, 8V
Quantité
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Transistor canal N FDC6324L, SUPERSOT-6, 8V. Boîtier: SUPERSOT-6. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 8V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A/1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:51
FDC6324L
11 paramètres
Boîtier
SUPERSOT-6
Tension drain-source Uds [V]
8V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
1.5A/1.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.7W
Famille de composants
MOSFET, N-MOS, P-MOS
Nombre de bornes
6
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3V
Produit d'origine constructeur
Onsemi (fairchild)