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NTMFS4833NT1G

Transistor canal N NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 138A. Id (T=25°C): 191A. Idss (maxi): 191A. Résistance passante Rds On: 1.3M Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 114W. Fonction: ID pulse 288A/10ms. Id(imp): 288A. Marquage sur le boîtier: 4833N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4833N. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.73€

Quantité en stock: 13

NTMFS4835NT1G

Transistor canal N NTMFS4835NT1G, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Résistance passante Rds On: 2.9m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 63W. Fonction: ID pulse 208A/10ms. Id(imp): 208A. Marquage sur le boîtier: 4835N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4835N. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.28€

Quantité en stock: 103

NTMFS5C628NLT1G

Transistor canal N NTMFS5C628NLT1G, DFN5. Boîtier: DFN5. Courant de drain: 150A. Polarité: unipolaire. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 2M Ohms. Tension drain - source: 60V. Type de transistor: N-MOSFET...

2.09€

Quantité en stock: 3

P2804BDG

Transistor canal N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 40A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.83€

Quantité en stock: 779

P30N03A

Transistor canal N P30N03A, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. Id (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (maxi): 30A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. C (in): 860pF. C (out): 450pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Id(imp): 60.4k Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.50€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 7

P50N03A-SMD

Transistor canal N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). Id (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-263 (D2PAK). C (in): 2780pF. C (out): 641pF. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Id(imp): 100A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.78€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 88

P50N03LD

Transistor canal N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 15m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1200pF. C (out): 600pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 150A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.35€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 430

P75N02LD

Transistor canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 170A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.46€

Quantité en stock: 363

PHB45N03LT

Transistor canal N PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 25V. C (in): 920pF. C (out): 260pF. Dissipation de puissance maxi: 86W. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

2.49€

Quantité en stock: 48

PHP45N03LT

Transistor canal N PHP45N03LT, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 45A. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 25V. Dissipation de puissance maxi: 86W. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Id(imp): 180A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: TrenchMOS transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.45€

Quantité en stock: 67

PHP9NQ20T

Transistor canal N PHP9NQ20T, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 8.7A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 88W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS SOT78. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.23€

Produit obsolète
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PMV213SN

Transistor canal N PMV213SN, SOT-23, TO-236AB, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.5 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: PMV213SN. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

0.68€

Quantité en stock: 249

PSMN013-100BS-118

Transistor canal N PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. Id (T=100°C): 47A. Id (T=25°C): 68A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 13.9m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK (SOT404). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3195pF. C (out): 221pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: commutation standard. Id(imp): 272A. Idss (min): 0.06uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

2.25€

Quantité en stock: 54

PSMN015-100P

Transistor canal N PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. Id (T=100°C): 60.8A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 4900pF. C (out): 390pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 240A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

3.18€

Quantité en stock: 12

PSMN035-150P

Transistor canal N PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 4720pF. C (out): 456pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 118 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

3.81€

Produit obsolète
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Q67040-S4624

Transistor canal N Q67040-S4624, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 30pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N65C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

4.81€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 436

Q67042-S4113

Transistor canal N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2930pF. C (out): 1150pF. Dissipation de puissance maxi: 188W. Id(imp): 380A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 2N03L04. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V...

6.68€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 6

RFD14N05L

Transistor canal N RFD14N05L, TO-251AA, 50V. Boîtier: TO-251AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: RFD14N05L. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.36€

Quantité en stock: 102

RFD14N05SM9A

Transistor canal N RFD14N05SM9A, D-PAK, 50V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F14N05. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.47€

Quantité en stock: 2495

RFD3055LESM

Transistor canal N RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 850pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: commande par niveau logique, protection ESD. Marquage sur le boîtier: F3055L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.47€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 10

RFP12N10L

Transistor canal N RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 900pF. C (out): 325pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F12N10L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.37€

Quantité en stock: 65

RFP3055

Transistor canal N RFP3055, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 53W. Fonction: MegaFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.24€

Quantité en stock: 63

RFP3055LE

Transistor canal N RFP3055LE, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: RFP3055LE. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 324

RFP50N06

Transistor canal N RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2020pF. C (out): 600pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2020pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Dissipation de puissance maxi: 131W. Dissipation maximale Ptot [W]: 131W. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: MegaFET. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: RFP50N06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...