Transistor canal N RFD14N05L, TO-251AA, 50V. Boîtier: TO-251AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: RFD14N05L. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14