Transistor canal N PMV213SN, SOT-23, TO-236AB, 100V
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Transistor canal N PMV213SN, SOT-23, TO-236AB, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.5 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: PMV213SN. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Nxp. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14
PMV213SN
17 paramètres
Boîtier
SOT-23
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236AB
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
330pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
1.9A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.25 Ohms @ 0.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
2W
Délai de coupure tf[nsec.]
9.5 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
PMV213SN
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
5.5 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Nxp