Recherche de produit: resistance 680 ohms 5w sqp5 680r

IRLR024NTRPBF

Transistor canal N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 10nC. Courant de drain: 17A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 38W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.35€

Quantité en stock: 25

IRLR120N

Transistor canal N IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.185 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 440pF. C (out): 97pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Equivalences: IRLR120NTRPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 35A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.06€

Quantité en stock: 62

IRLR2705

Transistor canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible résistance R-on 0.040 Ohms. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 75. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.01€

Quantité en stock: 15

IRLR2705PBF

Transistor canal N IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 16.7nC. Courant de drain: 28A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 68W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.47€

Quantité en stock: 50

IRLR2905

Transistor canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Charge: 32nC. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: 42A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.8K/W. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.17€

+25 rapidement
Quantité en stock: 466

IRLR2905TRPBF

Transistor canal N IRLR2905TRPBF, D-PAK, TO-252, 55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLR2905PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.59€

Quantité en stock: 2535

IRLR2905Z

Transistor canal N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 11m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1570pF. C (out): 230pF. Charge: 23nC. Courant de drain: 60A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Equivalences: IRLR2905ZTRPBF. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 240A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 22ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.78€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 394

IRLR3110ZPBF

Transistor canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3980pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Equivalences: IRLR3110ZPbF. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 250A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: ±16. Trr Diode (Min.): 34-51 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

2.37€

Quantité en stock: 2234

IRLR3410

Transistor canal N IRLR3410, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.03€

Quantité en stock: 28

IRLR3410TRPBF

Transistor canal N IRLR3410TRPBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 97W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LR3410. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.66€

Quantité en stock: 2429

IRLR3705ZPBF

Transistor canal N IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 63A. Id (T=25°C): 89A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2900pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 130W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 360A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 33 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 21ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.69€

+82 rapidement
Quantité en stock: 127

IRLR7843

Transistor canal N IRLR7843, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 161A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4380pF. C (out): 940pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: RDS (on) très faible à 4.5V VGS, impédance de grille ultra-faible. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: LR7843. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V...

1.44€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 1581

IRLR8721

Transistor canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 6.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1030pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Id(imp): 260A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Td(off): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

1.21€

Quantité en stock: 24

IRLR8726TRPBF

Transistor canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 4m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2150pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Equivalences: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

0.59€

Quantité en stock: 176

IRLR8743

Transistor canal N IRLR8743, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4880pF. C (out): 950pF. Dissipation de puissance maxi: 135W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 640A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

2.15€

Quantité en stock: 66

IRLZ24N

Transistor canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.05€

Quantité en stock: 149

IRLZ24NPBF

Transistor canal N IRLZ24NPBF, TO220AB, 55V, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 480pF. Charge: 10nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Courant de drain: 18A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRLZ24NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 45W. RoHS: non. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.1 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.77€

+10 rapidement
Quantité en stock: 481

IRLZ34N

Transistor canal N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Charge: 16.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 27A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 56W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.05€

+75 rapidement
Quantité en stock: 960

IRLZ34NPBF

Transistor canal N IRLZ34NPBF, TO-220., 55V, 0.035 Ohms, 55V. Boîtier: TO-220.. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 880pF. Commande: niveau logique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain maxi: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLZ34NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 68W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

1.39€

+152 rapidement
Quantité en stock: 223

IRLZ44N

Transistor canal N IRLZ44N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 47A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.33€

Quantité en stock: 229

IXFA130N10T2

Transistor canal N IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6600pF. C (out): 640pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 360W. Id(imp): 300A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V...

9.65€

Quantité en stock: 10

IXFH13N80

Transistor canal N IXFH13N80, TO-247AD, 800V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFH13N80. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

39.37€

Quantité en stock: 33

IXFH26N50Q

Transistor canal N IXFH26N50Q, TO-247AD, 500V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFH26N50. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

28.12€

Quantité en stock: 21

IXFH26N60Q

Transistor canal N IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4700pF. C (out): 580pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 360W. Id(imp): 104A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 2.5V...

25.59€

Quantité en stock: 5

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