Transistor canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.04€
5-24
0.90€
25-49
0.79€
50-99
0.71€
100+
0.61€
Quantité en stock: 181

Transistor canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRLZ24N
26 paramètres
Id (T=100°C)
8.5A
Id (T=25°C)
17A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.075 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
480pF
C (out)
130pF
Dissipation de puissance maxi
47W
Fonction
Commande de porte par niveau logique
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
20 ns
Td(on)
7.1 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Tension grille/source Vgs
16V
Trr Diode (Min.)
60 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier